節約能源，保護國家安全我國是僅次于美國的第二發電大國，2003年度我國發電總量為1.91萬億千瓦時，照明用電量約占總發電量的12%(約2100億千瓦時)，相當于三峽水電站總發電量的2.4倍，并且正以每年5%以上的速度增長。目前國內已有裝機容量是3.5億千瓦，需要新增量4.5億-5億千瓦。而從我國目前的資源看，按水電資源已探明儲量和以天然氣與煤為燃料的火電最多可提供的裝機容量計算，將會有3200萬-4000萬千瓦的缺口。解決我國能源危機的辦法除了進行電站建設和新能源開發外，比較可行的辦法是進行節約能源的消耗。

　　半導體照明技術涉及襯底技術、外延技術、芯片結構與制作技術、封裝技術和應用技術5個技術分支以及與其相關的封裝材料和熒光材料領域。目前，半導體材料在照明技術領域的應用主要是發光二極管(LED)照明技術。發光二極管(LED)是近年來迅速崛起的半導體發光器件。

　　1.LED的功率光在單位時間內所做的功.光功率單位常用毫瓦(mw)和瓦(W)

　　2.LED的色溫表示光源光譜質量最通用的指標。色溫是按絕對黑體來定義的，光源的輻射在可見區和絕對黑體的輻射完全相同時，此時黑體的溫度就稱此光源的色溫。低色溫光源的特征是能量分布中，紅輻射相對說要多些，通常稱為“暖光”;色溫提高后，能量分布中，藍輻射的比例增加，通常稱為“冷光”。一些常用光源的色溫為：標準燭光為1930K(開爾文溫度單位);鎢絲燈為2760-2900K;熒光燈為3000K;閃光燈為3800K;中午陽光為5400K;電子閃光燈為6000K;藍天為12000-18000K。

　　國家層面的相關政策：1.半導體照明節能產業發展意見,為推動我國半導體照明節能產業健康有序發展，培育新的經濟增長點，擴大消費需求，促進節能減排，2009年9月，國家發展改革委、科技部、工業和信息化部、財政部、住房城鄉建設部、國家質檢總局聯合發布了《半導體照明節能產業發展意見》。